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PN Junction Semiconductor P3M12080G7
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | P3M12080G7 |
| Código da Peça EBEE | E87256048 |
| Pacote | D2PAK-7 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | 1.2kV 32A 96mΩ@15V,20A 136W 2.2V@30mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $31.1511 | $ 31.1511 |
| 200+ | $12.4308 | $ 2486.1600 |
| 500+ | $12.0143 | $ 6007.1500 |
| 1000+ | $11.8087 | $ 11808.7000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | PN Junction Semiconductor P3M12080G7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 1.2kV | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 32A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 96mΩ@15V,20A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 136W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2.2V@30mA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 6pF@800V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 2032pF@800V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $31.1511 | $ 31.1511 |
| 200+ | $12.4308 | $ 2486.1600 |
| 500+ | $12.0143 | $ 6007.1500 |
| 1000+ | $11.8087 | $ 11808.7000 |
