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PN Junction Semiconductor P3M12040G7
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | P3M12040G7 |
| Código da Peça EBEE | E87023109 |
| Pacote | D2PAK-7 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | 1.2kV 63A 53mΩ@15V,40A 349W 1.6V@10mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $60.6656 | $ 60.6656 |
| 200+ | $24.2064 | $ 4841.2800 |
| 500+ | $23.3977 | $ 11698.8500 |
| 1000+ | $22.9986 | $ 22998.6000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | PN Junction Semiconductor P3M12040G7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 1.2kV | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 63A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 53mΩ@15V,40A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 349W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 1.6V@10mA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 5.4pF@800V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 3505pF@800V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 98nC@15V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $60.6656 | $ 60.6656 |
| 200+ | $24.2064 | $ 4841.2800 |
| 500+ | $23.3977 | $ 11698.8500 |
| 1000+ | $22.9986 | $ 22998.6000 |
