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PN Junction Semiconductor P3M06120T3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | P3M06120T3 |
| Código da Peça EBEE | E87323805 |
| Pacote | TO-220-2L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | 650V 29A 158mΩ@15V,10A 153W 1.8V@5mA 1 N-channel TO-220-2L MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $26.1686 | $ 26.1686 |
| 200+ | $10.4423 | $ 2088.4600 |
| 500+ | $10.0939 | $ 5046.9500 |
| 1000+ | $9.9213 | $ 9921.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | PN Junction Semiconductor P3M06120T3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 650V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 29A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 158mΩ@15V,10A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 153W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 1.8V@5mA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 8.6pF@400V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 31.6nC@15V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $26.1686 | $ 26.1686 |
| 200+ | $10.4423 | $ 2088.4600 |
| 500+ | $10.0939 | $ 5046.9500 |
| 1000+ | $9.9213 | $ 9921.3000 |
