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PN Junction Semiconductor P3M06060T3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | P3M06060T3 |
| Código da Peça EBEE | E87323804 |
| Pacote | TO-220-2L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | 650V 46A 79mΩ@15V,20A 170W 1.65V@5mA 1 N-channel TO-220-2L MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $30.0148 | $ 30.0148 |
| 200+ | $11.9777 | $ 2395.5400 |
| 500+ | $11.5769 | $ 5788.4500 |
| 1000+ | $11.3782 | $ 11378.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | PN Junction Semiconductor P3M06060T3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 650V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 46A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 79mΩ@15V,20A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 170W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 1.65V@5mA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15.3pF@400V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1911pF@400V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $30.0148 | $ 30.0148 |
| 200+ | $11.9777 | $ 2395.5400 |
| 500+ | $11.5769 | $ 5788.4500 |
| 1000+ | $11.3782 | $ 11378.2000 |
