| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | PJM2302NSA-S |
| Código da Peça EBEE | E8411710 |
| Pacote | SOT-23 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 20V 2A 900mW 50mΩ@4.5V,2A 1.2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0274 | $ 0.5480 |
| 200+ | $0.0219 | $ 4.3800 |
| 600+ | $0.0188 | $ 11.2800 |
| 3000+ | $0.0147 | $ 44.1000 |
| 9000+ | $0.0131 | $ 117.9000 |
| 21000+ | $0.0122 | $ 256.2000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | PJSEMI PJM2302NSA-S | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 80mΩ@2.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 27pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 260pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0274 | $ 0.5480 |
| 200+ | $0.0219 | $ 4.3800 |
| 600+ | $0.0188 | $ 11.2800 |
| 3000+ | $0.0147 | $ 44.1000 |
| 9000+ | $0.0131 | $ 117.9000 |
| 21000+ | $0.0122 | $ 256.2000 |
