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PJSEMI PJM01N20KDC
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | PJM01N20KDC |
| Código da Peça EBEE | E82981470 |
| Pacote | DFN-3L(1x0.6) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | 20V 800mA 350mW 300mΩ@4.5V,0.6A 1.1V@250uA 1 N-Channel DFN-3L(1x0.6) MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0269 | $ 0.5380 |
| 200+ | $0.0208 | $ 4.1600 |
| 600+ | $0.0174 | $ 10.4400 |
| 2000+ | $0.0153 | $ 30.6000 |
| 10000+ | $0.0129 | $ 129.0000 |
| 20000+ | $0.0119 | $ 238.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | PJSEMI PJM01N20KDC | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 700mΩ@1.8V | |
| Temperatura de funcionamento - | - | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 56pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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