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PIP PTW69N30


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
PTW69N30
Código da Peça EBEE
E8575802
Pacote
TO-3P-3
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
-
Descrição
300V 69A 35mΩ@10V,35A 520W 2V@250uA 1 N-channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS
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Qualidade
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$2.6732$ 2.6732
10+$2.3394$ 23.3940
30+$2.1300$ 63.9000
100+$1.9153$ 191.5300
500+$1.8194$ 909.7000
1000+$1.7769$ 1776.9000
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaTransistores / os ossudores ,MOSFETs em
Folha de DadosPIP PTW69N30
RoHS
Temperatura de funcionamento-55℃~+150℃
Tipo de tipo1 N-channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)300V
Corrente contínua de drenagem (Id)69A
Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id)35mΩ@10V,35A
Dissipação de potência (Pd)520W
Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id)2V@250uA
Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds)130pF@25V
Capacitância de entrada (Ciss-Vds)-
Carga total do portão (Qg-Vgs)150nC@150V

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