| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | PTW36N60 |
| Código da Peça EBEE | E8575821 |
| Pacote | TO-3P-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 600V 36A 120mΩ@10V,18A 650W 2V@250uA 1 N-channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6732 | $ 2.6732 |
| 10+ | $2.3394 | $ 23.3940 |
| 30+ | $2.1300 | $ 63.9000 |
| 100+ | $1.9153 | $ 191.5300 |
| 500+ | $1.8194 | $ 909.7000 |
| 1000+ | $1.7769 | $ 1776.9000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | PIP PTW36N60 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 600V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 36A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 120mΩ@10V,18A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 650W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 40pF@25V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | - | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | - |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6732 | $ 2.6732 |
| 10+ | $2.3394 | $ 23.3940 |
| 30+ | $2.1300 | $ 63.9000 |
| 100+ | $1.9153 | $ 191.5300 |
| 500+ | $1.8194 | $ 909.7000 |
| 1000+ | $1.7769 | $ 1776.9000 |
