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PIP PTA10N80
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | PTA10N80 |
| Código da Peça EBEE | E8343859 |
| Pacote | TO-220F-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 10A 55W 1Ω@10V,4A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5166 | $ 0.5166 |
| 10+ | $0.5058 | $ 5.0580 |
| 30+ | $0.4967 | $ 14.9010 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | PIP PTA10N80 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 800V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 10A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 1Ω@10V,4A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 55W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 25pF@25V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 2.9nF | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 60nC@10V |
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