5% off
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SI2305 |
| Código da Peça EBEE | E85278888 |
| Pacote | SOT-23 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 20V 4.1A 1.25W 75mΩ@2.5V,3A 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0332 | $ 0.6640 |
| 200+ | $0.0262 | $ 5.2400 |
| 600+ | $0.0228 | $ 13.6800 |
| 3000+ | $0.0201 | $ 60.3000 |
| 9000+ | $0.0181 | $ 162.9000 |
| 21000+ | $0.0170 | $ 357.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | PAKER SI2305 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 75mΩ@2.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 87pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 415pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@6V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0332 | $ 0.6640 |
| 200+ | $0.0262 | $ 5.2400 |
| 600+ | $0.0228 | $ 13.6800 |
| 3000+ | $0.0201 | $ 60.3000 |
| 9000+ | $0.0181 | $ 162.9000 |
| 21000+ | $0.0170 | $ 357.0000 |
