Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
onsemi HGTP5N120BND
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HGTP5N120BND |
| Código da Peça EBEE | E8898683 |
| Pacote | TO-220AB |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 167W 21A 1.2kV NPT (non-penetrating type) TO-220AB-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>572 Em Estoque para Envio Rápido
572 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.4491 | $ 2.4491 |
| 10+ | $2.1074 | $ 21.0740 |
| 50+ | $1.5647 | $ 78.2350 |
| 100+ | $1.3452 | $ 134.5200 |
| 500+ | $1.2462 | $ 623.1000 |
| 800+ | $1.2029 | $ 962.3200 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Folha de Dados | onsemi HGTP5N120BND | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 6V@45uA | |
| Pd - Power Dissipation | 167W | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC | |
| Td(off) | 160ns | |
| Td(on) | 22ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 65ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 450uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 600uJ |
Guia de Compras
Expandir
572 Stock for Shipping Fast
572 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.4491 | $ 2.4491 |
| 10+ | $2.1074 | $ 21.0740 |
| 50+ | $1.5647 | $ 78.2350 |
| 100+ | $1.3452 | $ 134.5200 |
| 500+ | $1.2462 | $ 623.1000 |
| 800+ | $1.2029 | $ 962.3200 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
