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onsemi FGH75T65UPD
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | FGH75T65UPD |
| Código da Peça EBEE | E8605143 |
| Pacote | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 375W 150A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5744 | $ 5.5744 |
| 10+ | $4.8282 | $ 48.2820 |
| 30+ | $4.3741 | $ 131.2230 |
| 100+ | $3.9915 | $ 399.1500 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Folha de Dados | onsemi FGH75T65UPD | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 4V@75mA | |
| Pd - Power Dissipation | 375W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 385nC | |
| Td(off) | 166ns | |
| Td(on) | 32ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 100pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 85ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.2mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2.85mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 5.665nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 225A | |
| Output Capacitance(Coes) | 205pF |
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