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onsemi FGA60N65SMD
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | FGA60N65SMD |
| Código da Peça EBEE | E8444004 |
| Pacote | TO-3PN |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4231 | $ 3.4231 |
| 10+ | $2.9881 | $ 29.8810 |
| 30+ | $2.4038 | $ 72.1140 |
| 90+ | $2.1260 | $ 191.3400 |
| 450+ | $2.0005 | $ 900.2250 |
| 900+ | $1.9450 | $ 1750.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Folha de Dados | onsemi FGA60N65SMD | |
| RoHS | ||
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 6V@250uA | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 189nC@15V | |
| Td(off) | 104ns | |
| Td(on) | 18ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 85pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 47ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 450uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1.54mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 2.915nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 180A | |
| Output Capacitance(Coes) | 270pF |
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| 30+ | $2.4038 | $ 72.1140 |
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