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MSKSEMI MS3139KDFN
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MS3139KDFN |
| Código da Peça EBEE | E822365398 |
| Pacote | DFN1006-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | 20V 600mA 500mΩ@4.5V,300mA 1 Piece P-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0266 | $ 0.5320 |
| 200+ | $0.0207 | $ 4.1400 |
| 600+ | $0.0175 | $ 10.5000 |
| 2000+ | $0.0155 | $ 31.0000 |
| 10000+ | $0.0138 | $ 138.0000 |
| 20000+ | $0.0129 | $ 258.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | MSKSEMI MS3139KDFN | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 650mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+125℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 450mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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