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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 5N10S-MS |
| Código da Peça EBEE | E819272808 |
| Pacote | SOT-223 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 100V 5A 1.2W 110mΩ@10V 1 N-channel SOT-223 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0847 | $ 0.4235 |
| 50+ | $0.0670 | $ 3.3500 |
| 150+ | $0.0581 | $ 8.7150 |
| 500+ | $0.0515 | $ 25.7500 |
| 2500+ | $0.0462 | $ 115.5000 |
| 5000+ | $0.0435 | $ 217.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | MSKSEMI 5N10S-MS | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 110mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 37pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.535nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 60pF | |
| Gate Charge(Qg) | 26.2nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0847 | $ 0.4235 |
| 50+ | $0.0670 | $ 3.3500 |
| 150+ | $0.0581 | $ 8.7150 |
| 500+ | $0.0515 | $ 25.7500 |
| 2500+ | $0.0462 | $ 115.5000 |
| 5000+ | $0.0435 | $ 217.5000 |
