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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MPD04N65 |
| Código da Peça EBEE | E817701973 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 4A 2.3Ω 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0868 | $ 0.4340 |
| 50+ | $0.0686 | $ 3.4300 |
| 150+ | $0.0609 | $ 9.1350 |
| 500+ | $0.0511 | $ 25.5500 |
| 2500+ | $0.0468 | $ 117.0000 |
| 5000+ | $0.0442 | $ 221.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | miracle MPD04N65 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 2.7Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 3.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 77W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 610pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 53pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14.2nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0868 | $ 0.4340 |
| 50+ | $0.0686 | $ 3.4300 |
| 150+ | $0.0609 | $ 9.1350 |
| 500+ | $0.0511 | $ 25.5500 |
| 2500+ | $0.0468 | $ 117.0000 |
| 5000+ | $0.0442 | $ 221.0000 |
