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Microchip Tech LND150N8-G
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | LND150N8-G |
| Código da Peça EBEE | E8629123 |
| Pacote | SOT-89 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 500V 30mW 1000Ω@0V,0.5mA 1V@100nA 1 N-channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS |
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206 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6052 | $ 1.6052 |
| 10+ | $1.3591 | $ 13.5910 |
| 30+ | $1.2226 | $ 36.6780 |
| 100+ | $1.0702 | $ 107.0200 |
| 500+ | $1.0019 | $ 500.9500 |
| 1000+ | $0.9701 | $ 970.1000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Microchip Tech LND150N8-G | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 1kΩ@0V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.6W | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 10pF |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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| 1+ | $1.6052 | $ 1.6052 |
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| 100+ | $1.0702 | $ 107.0200 |
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