| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | DN3535N8-G |
| Código da Peça EBEE | E8616349 |
| Pacote | SOT-89-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 350V 200mA 10Ω@0V,150mA 1.6W 1.5V@10uA 1 N-channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3763 | $ 1.3763 |
| 10+ | $1.3438 | $ 13.4380 |
| 30+ | $1.3239 | $ 39.7170 |
| 100+ | $1.3023 | $ 130.2300 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP DN3535N8-G | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 350V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 200mA | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 10Ω@0V,150mA | |
| Dissipação de potência (Pd) | 1.6W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 1.5V@10uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 10pF | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 360pF@5V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3763 | $ 1.3763 |
| 10+ | $1.3438 | $ 13.4380 |
| 30+ | $1.3239 | $ 39.7170 |
| 100+ | $1.3023 | $ 130.2300 |
