| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM50DDA10T3G |
| Código da Peça EBEE | E817582735 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 500V 37A 120mΩ@10V,18.5A 312W 5V@1mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $253.3345 | $ 253.3345 |
| 200+ | $101.0827 | $ 20216.5400 |
| 500+ | $97.7052 | $ 48852.6000 |
| 1000+ | $96.0365 | $ 96036.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 2 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 500V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 37A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 120mΩ@10V,18.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 312W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@1mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 4.367nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 96nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $253.3345 | $ 253.3345 |
| 200+ | $101.0827 | $ 20216.5400 |
| 500+ | $97.7052 | $ 48852.6000 |
| 1000+ | $96.0365 | $ 96036.5000 |
