| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM20UM03FAG |
| Código da Peça EBEE | E85589027 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 200V 580A 3.6mΩ@10V,290A 2.27kW 5V@15mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,132.4550 | $ 1132.4550 |
| 200+ | $451.8578 | $ 90371.5600 |
| 500+ | $436.7582 | $ 218379.1000 |
| 1000+ | $429.2964 | $ 429296.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APTM20UM03FAG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 200V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 580A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 3.6mΩ@10V,290A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 2.27kW | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@15mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 43.3nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 840nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,132.4550 | $ 1132.4550 |
| 200+ | $451.8578 | $ 90371.5600 |
| 500+ | $436.7582 | $ 218379.1000 |
| 1000+ | $429.2964 | $ 429296.4000 |
