| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM10UM02FAG |
| Código da Peça EBEE | E85554285 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 570A 2.5mΩ@10V,200A 1.66kW 4V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $967.2259 | $ 967.2259 |
| 200+ | $385.9302 | $ 77186.0400 |
| 500+ | $373.0333 | $ 186516.6500 |
| 1000+ | $366.6624 | $ 366662.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APTM10UM02FAG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 100V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 570A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 2.5mΩ@10V,200A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 1.66kW | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4V@10mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 40nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 1.36uC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $967.2259 | $ 967.2259 |
| 200+ | $385.9302 | $ 77186.0400 |
| 500+ | $373.0333 | $ 186516.6500 |
| 1000+ | $366.6624 | $ 366662.4000 |
