| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM100UM45FAG |
| Código da Peça EBEE | E85554270 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1kV 215A 52mΩ@10V,107.5A 5kW 3V@30mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,461.5871 | $ 1461.5871 |
| 200+ | $583.1829 | $ 116636.5800 |
| 500+ | $563.6955 | $ 281847.7500 |
| 1000+ | $554.0660 | $ 554066.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APTM100UM45FAG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 1kV | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 215A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 52mΩ@10V,107.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 5kW | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 3V@30mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 42.7nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 1.602uC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,461.5871 | $ 1461.5871 |
| 200+ | $583.1829 | $ 116636.5800 |
| 500+ | $563.6955 | $ 281847.7500 |
| 1000+ | $554.0660 | $ 554066.0000 |
