| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTM100DAM90G |
| Código da Peça EBEE | E85569621 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1kV 78A 1.25kW 105mΩ@10V,39A 5V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $735.2730 | $ 735.2730 |
| 200+ | $293.3794 | $ 58675.8800 |
| 500+ | $283.5756 | $ 141787.8000 |
| 1000+ | $278.7311 | $ 278731.1000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APTM100DAM90G | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 1kV | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 78A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 105mΩ@10V,39A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 1.25kW | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@10mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 20.7nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 744nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $735.2730 | $ 735.2730 |
| 200+ | $293.3794 | $ 58675.8800 |
| 500+ | $283.5756 | $ 141787.8000 |
| 1000+ | $278.7311 | $ 278731.1000 |
