| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APTC60DAM18CTG |
| Código da Peça EBEE | E87216514 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 143A 18mΩ@10V,71.5A 833W 3.9V@4mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $541.0042 | $ 541.0042 |
| 200+ | $215.8645 | $ 43172.9000 |
| 500+ | $208.6515 | $ 104325.7500 |
| 1000+ | $205.0877 | $ 205087.7000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APTC60DAM18CTG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 600V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 143A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 18mΩ@10V,71.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 833W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 3.9V@4mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 28nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 1.036uC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $541.0042 | $ 541.0042 |
| 200+ | $215.8645 | $ 43172.9000 |
| 500+ | $208.6515 | $ 104325.7500 |
| 1000+ | $205.0877 | $ 205087.7000 |
