| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APT9M100B |
| Código da Peça EBEE | E87450778 |
| Pacote | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1kV 9A 335W 1.4Ω@10V,5A 5V@1mA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.0613 | $ 12.0613 |
| 200+ | $4.8134 | $ 962.6800 |
| 500+ | $4.6531 | $ 2326.5500 |
| 1000+ | $4.5730 | $ 4573.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APT9M100B | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 1kV | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 9A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 1.4Ω@10V,5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 335W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@1mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 2.605nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 80nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.0613 | $ 12.0613 |
| 200+ | $4.8134 | $ 962.6800 |
| 500+ | $4.6531 | $ 2326.5500 |
| 1000+ | $4.5730 | $ 4573.0000 |
