| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APT8M100B |
| Código da Peça EBEE | E83293074 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1kV 8A 1.8Ω@10V,4A 290W 5V@1mA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2754 | $ 5.2754 |
| 200+ | $2.0424 | $ 408.4800 |
| 500+ | $1.9696 | $ 984.8000 |
| 1000+ | $1.9359 | $ 1935.9000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APT8M100B | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 1kV | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 8A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 1.8Ω@10V,4A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 290W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@1mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1.885nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 60nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2754 | $ 5.2754 |
| 200+ | $2.0424 | $ 408.4800 |
| 500+ | $1.9696 | $ 984.8000 |
| 1000+ | $1.9359 | $ 1935.9000 |
