| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APT58M50JU3 |
| Código da Peça EBEE | E87077504 |
| Pacote | SOT-227 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 500V 58A 543W 65mΩ@10V,42A [email protected] 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $96.2466 | $ 96.2466 |
| 200+ | $38.4043 | $ 7680.8600 |
| 500+ | $37.1198 | $ 18559.9000 |
| 1000+ | $36.4855 | $ 36485.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APT58M50JU3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 500V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 58A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 65mΩ@10V,42A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 543W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | [email protected] | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 10.8nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 340nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $96.2466 | $ 96.2466 |
| 200+ | $38.4043 | $ 7680.8600 |
| 500+ | $37.1198 | $ 18559.9000 |
| 1000+ | $36.4855 | $ 36485.5000 |
