| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APT53F80J |
| Código da Peça EBEE | E85554206 |
| Pacote | SOT-227B-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 57A 110mΩ@10V,43A 960W 2.5V@5mA 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $172.6474 | $ 172.6474 |
| 200+ | $68.8882 | $ 13777.6400 |
| 500+ | $66.5863 | $ 33293.1500 |
| 1000+ | $65.4483 | $ 65448.3000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APT53F80J | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 800V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 57A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 110mΩ@10V,43A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 960W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2.5V@5mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 17.55nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 570nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $172.6474 | $ 172.6474 |
| 200+ | $68.8882 | $ 13777.6400 |
| 500+ | $66.5863 | $ 33293.1500 |
| 1000+ | $65.4483 | $ 65448.3000 |
