| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APT32M80J |
| Código da Peça EBEE | E85588972 |
| Pacote | SOT-227B-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 33A 543W 190mΩ@10V,24A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $101.7169 | $ 101.7169 |
| 200+ | $40.5867 | $ 8117.3400 |
| 500+ | $39.2310 | $ 19615.5000 |
| 1000+ | $38.5602 | $ 38560.2000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APT32M80J | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 800V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 33A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 190mΩ@10V,24A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 543W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | [email protected] | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 159pF@800V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 9326pF@800V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 303nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $101.7169 | $ 101.7169 |
| 200+ | $40.5867 | $ 8117.3400 |
| 500+ | $39.2310 | $ 19615.5000 |
| 1000+ | $38.5602 | $ 38560.2000 |
