| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APT30F60J |
| Código da Peça EBEE | E87216471 |
| Pacote | SOT-227B-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 31A 355W 150mΩ@10V,21A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $87.5104 | $ 87.5104 |
| 200+ | $34.9170 | $ 6983.4000 |
| 500+ | $33.7511 | $ 16875.5500 |
| 1000+ | $33.1743 | $ 33174.3000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APT30F60J | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 600V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 31A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 150mΩ@10V,21A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 355W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | [email protected] | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 8.59nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 215nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $87.5104 | $ 87.5104 |
| 200+ | $34.9170 | $ 6983.4000 |
| 500+ | $33.7511 | $ 16875.5500 |
| 1000+ | $33.1743 | $ 33174.3000 |
