| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APT29F80J |
| Código da Peça EBEE | E85554175 |
| Pacote | SOT-227B-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 31A 543W 210mΩ@10V,24A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $110.7261 | $ 110.7261 |
| 200+ | $44.1817 | $ 8836.3400 |
| 500+ | $42.7040 | $ 21352.0000 |
| 1000+ | $41.9756 | $ 41975.6000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | MICROCHIP APT29F80J | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 800V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 31A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 210mΩ@10V,24A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 543W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | [email protected] | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 9.326nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 303nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $110.7261 | $ 110.7261 |
| 200+ | $44.1817 | $ 8836.3400 |
| 500+ | $42.7040 | $ 21352.0000 |
| 1000+ | $41.9756 | $ 41975.6000 |
