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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N03D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MDD50N03D |
| Código da Peça EBEE | E85357578 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | 30V 50A 28W 9mΩ@10V 1V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0910 | $ 1.8200 |
| 200+ | $0.0754 | $ 15.0800 |
| 600+ | $0.0673 | $ 40.3800 |
| 2500+ | $0.0595 | $ 148.7500 |
| 10000+ | $0.0572 | $ 572.0000 |
| 20000+ | $0.0556 | $ 1112.0000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N03D | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 6.5mΩ@10V;8.3mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -50℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 164pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.015nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 201pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23.6nC |
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