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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MDD3407 |
| Código da Peça EBEE | E8427386 |
| Pacote | SOT-23 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 30V 4.1A 43mΩ@10V,4A 1.2W 1.6V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0352 | $ 0.3520 |
| 100+ | $0.0286 | $ 2.8600 |
| 300+ | $0.0249 | $ 7.4700 |
| 3000+ | $0.0218 | $ 65.4000 |
| 6000+ | $0.0199 | $ 119.4000 |
| 9000+ | $0.0188 | $ 169.2000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD3407 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| RDS (em inglês) | 43mΩ@10V;66mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | - | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 44pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 493pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0352 | $ 0.3520 |
| 100+ | $0.0286 | $ 2.8600 |
| 300+ | $0.0249 | $ 7.4700 |
| 3000+ | $0.0218 | $ 65.4000 |
| 6000+ | $0.0199 | $ 119.4000 |
| 9000+ | $0.0188 | $ 169.2000 |
