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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2301
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MDD2301 |
| Código da Peça EBEE | E8427391 |
| Pacote | SOT-23 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | 20V 3A 70mΩ@4.5V 900mW 600mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0179 | $ 0.3580 |
| 200+ | $0.0163 | $ 3.2600 |
| 600+ | $0.0154 | $ 9.2400 |
| 3000+ | $0.0096 | $ 28.8000 |
| 9000+ | $0.0092 | $ 82.8000 |
| 21000+ | $0.0089 | $ 186.9000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2301 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 33mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -50℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 45pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 700mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 330pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | 800pC |
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