| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | ME08N20-G |
| Código da Peça EBEE | E8709728 |
| Pacote | TO-252-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 200V 9A 350mΩ@10V,5A 74.9W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-3 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3182 | $ 1.5910 |
| 50+ | $0.2528 | $ 12.6400 |
| 150+ | $0.2248 | $ 33.7200 |
| 500+ | $0.1899 | $ 94.9500 |
| 2500+ | $0.1743 | $ 435.7500 |
| 5000+ | $0.1650 | $ 825.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | MATSUKI ME08N20-G | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 200V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 9A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 350mΩ@10V,5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 74.9W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 21pF@25V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 2.61nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 51.7nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3182 | $ 1.5910 |
| 50+ | $0.2528 | $ 12.6400 |
| 150+ | $0.2248 | $ 33.7200 |
| 500+ | $0.1899 | $ 94.9500 |
| 2500+ | $0.1743 | $ 435.7500 |
| 5000+ | $0.1650 | $ 825.0000 |
