Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos

MATSUKI ME08N20-G


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
ME08N20-G
Código da Peça EBEE
E8709728
Pacote
TO-252-3
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descrição
200V 9A 350mΩ@10V,5A 74.9W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>
2130 Em Estoque para Envio Rápido
2130 disponível para envio imediato
Pode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
5+$0.3182$ 1.5910
50+$0.2528$ 12.6400
150+$0.2248$ 33.7200
500+$0.1899$ 94.9500
2500+$0.1743$ 435.7500
5000+$0.1650$ 825.0000
Melhor preço para maior quantidade?
$
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaTransistores / os ossudores ,MOSFETs em
Folha de DadosMATSUKI ME08N20-G
RoHS
Temperatura de funcionamento-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo de tipo1 N-channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)200V
Corrente contínua de drenagem (Id)9A
Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id)350mΩ@10V,5A
Dissipação de potência (Pd)74.9W
Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id)4V@250uA
Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds)21pF@25V
Capacitância de entrada (Ciss-Vds)2.61nF@25V
Carga total do portão (Qg-Vgs)51.7nC@10V

Guia de Compras

Expandir