| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MSG50T65HHC0 |
| Código da Peça EBEE | E87424067 |
| Pacote | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 50A 650V TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7350 | $ 1.7350 |
| 10+ | $1.4243 | $ 14.2430 |
| 30+ | $1.2311 | $ 36.9330 |
| 90+ | $1.0320 | $ 92.8800 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,IGBT Transistores / Módulos | |
| Folha de Dados | MASPOWER MSG50T65HHC0 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+175℃ | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces) | 650V | |
| Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic) | 4V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 368W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 118nC@15V | |
| Td(off) | 140ns | |
| Td(on) | 33ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 125ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.53mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 650uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 3.33nF@25V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7350 | $ 1.7350 |
| 10+ | $1.4243 | $ 14.2430 |
| 30+ | $1.2311 | $ 36.9330 |
| 90+ | $1.0320 | $ 92.8800 |
