| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MS33N20HGC0 |
| Código da Peça EBEE | E85353695 |
| Pacote | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 200V 33A 85mΩ@10V,16A 180W 4V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3145 | $ 1.3145 |
| 10+ | $1.0921 | $ 10.9210 |
| 30+ | $0.9701 | $ 29.1030 |
| 90+ | $0.8310 | $ 74.7900 |
| 450+ | $0.7693 | $ 346.1850 |
| 900+ | $0.7415 | $ 667.3500 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | MASPOWER MS33N20HGC0 | |
| RoHS | ||
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 85mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -65℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.85nF | |
| Gate Charge(Qg) | 158nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3145 | $ 1.3145 |
| 10+ | $1.0921 | $ 10.9210 |
| 30+ | $0.9701 | $ 29.1030 |
| 90+ | $0.8310 | $ 74.7900 |
| 450+ | $0.7693 | $ 346.1850 |
| 900+ | $0.7415 | $ 667.3500 |
