| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | LP2305LT1G |
| Código da Peça EBEE | E8131734 |
| Pacote | SOT-23 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 30V 4.2A 130mΩ@2.5V,1.0A 1.4W 700mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0620 | $ 0.6200 |
| 100+ | $0.0505 | $ 5.0500 |
| 300+ | $0.0447 | $ 13.4100 |
| 3000+ | $0.0404 | $ 121.2000 |
| 6000+ | $0.0370 | $ 222.0000 |
| 9000+ | $0.0353 | $ 317.7000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | LRC LP2305LT1G | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| RDS (em inglês) | 130mΩ@2.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 53.18pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 826.18pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 90.74pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.36nC@15V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0620 | $ 0.6200 |
| 100+ | $0.0505 | $ 5.0500 |
| 300+ | $0.0447 | $ 13.4100 |
| 3000+ | $0.0404 | $ 121.2000 |
| 6000+ | $0.0370 | $ 222.0000 |
| 9000+ | $0.0353 | $ 317.7000 |
