| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IXTK82N25P |
| Código da Peça EBEE | E8480638 |
| Pacote | TO-264-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 250V 82A 35mΩ@10V,41A 500W 5V@250uA 1 N-channel TO-264-3 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.6969 | $ 6.6969 |
| 10+ | $5.8955 | $ 58.9550 |
| 25+ | $4.9852 | $ 124.6300 |
| 100+ | $4.5766 | $ 457.6600 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Littelfuse/IXYS IXTK82N25P | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 35mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500W | |
| Drain to Source Voltage | 250V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 82A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.8nF | |
| Gate Charge(Qg) | 142nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.6969 | $ 6.6969 |
| 10+ | $5.8955 | $ 58.9550 |
| 25+ | $4.9852 | $ 124.6300 |
| 100+ | $4.5766 | $ 457.6600 |
