| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | KY5853DC |
| Código da Peça EBEE | E83029307 |
| Pacote | DFNWB-8-EP(2x3) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | 20V 2.7A 110mΩ@4.5V,2.7A 1.1W 450mV@250uA 1 Piece P-Channel DFNWB-8-EP(2x3) MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0513 | $ 0.5130 |
| 100+ | $0.0408 | $ 4.0800 |
| 300+ | $0.0356 | $ 10.6800 |
| 1000+ | $0.0316 | $ 31.6000 |
| 5000+ | $0.0273 | $ 136.5000 |
| 10000+ | $0.0257 | $ 257.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | KY KY5853DC | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| RDS (em inglês) | 240mΩ@1.8V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 50pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 450mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0513 | $ 0.5130 |
| 100+ | $0.0408 | $ 4.0800 |
| 300+ | $0.0356 | $ 10.6800 |
| 1000+ | $0.0316 | $ 31.6000 |
| 5000+ | $0.0273 | $ 136.5000 |
| 10000+ | $0.0257 | $ 257.0000 |
