| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | FQD4N60SE |
| Código da Peça EBEE | E842404742 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1306 | $ 0.6530 |
| 50+ | $0.1033 | $ 5.1650 |
| 150+ | $0.0896 | $ 13.4400 |
| 500+ | $0.0793 | $ 39.6500 |
| 2500+ | $0.0711 | $ 177.7500 |
| 5000+ | $0.0670 | $ 335.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | KTP FQD4N60SE | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 2.5Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 5.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 560pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 48pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14.3nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1306 | $ 0.6530 |
| 50+ | $0.1033 | $ 5.1650 |
| 150+ | $0.0896 | $ 13.4400 |
| 500+ | $0.0793 | $ 39.6500 |
| 2500+ | $0.0711 | $ 177.7500 |
| 5000+ | $0.0670 | $ 335.0000 |
