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KTP FQD2N65SE
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | FQD2N65SE |
| Código da Peça EBEE | E842404739 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-252 MOSFETs ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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2335 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0899 | $ 0.4495 |
| 50+ | $0.0711 | $ 3.5550 |
| 150+ | $0.0617 | $ 9.2550 |
| 500+ | $0.0546 | $ 27.3000 |
| 2500+ | $0.0490 | $ 122.5000 |
| 5000+ | $0.0461 | $ 230.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | KTP FQD2N65SE | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 4.8Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 350pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | 110nC@10V |
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