| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CJ3139K |
| Código da Peça EBEE | E870022 |
| Pacote | SOT-723 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 20V 660mA 150mW 520mΩ@4.5V,0.66A 0.35V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-723 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0311 | $ 0.6220 |
| 200+ | $0.0252 | $ 5.0400 |
| 600+ | $0.0219 | $ 13.1400 |
| 2000+ | $0.0199 | $ 39.8000 |
| 8000+ | $0.0160 | $ 128.0000 |
| 16000+ | $0.0151 | $ 241.6000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. CJ3139K | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 520mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 350mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 660mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 170pF |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0311 | $ 0.6220 |
| 200+ | $0.0252 | $ 5.0400 |
| 600+ | $0.0219 | $ 13.1400 |
| 2000+ | $0.0199 | $ 39.8000 |
| 8000+ | $0.0160 | $ 128.0000 |
| 16000+ | $0.0151 | $ 241.6000 |
