| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 2SK3018 |
| Código da Peça EBEE | E8194460 |
| Pacote | SOT-323 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 30V 100mA 200mW 8Ω@4V,10mA 1.5V 1 N-Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0264 | $ 0.5280 |
| 200+ | $0.0209 | $ 4.1800 |
| 600+ | $0.0184 | $ 11.0400 |
| 3000+ | $0.0143 | $ 42.9000 |
| 9000+ | $0.0136 | $ 122.4000 |
| 21000+ | $0.0131 | $ 275.1000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 2SK3018 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 13Ω@2.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | - | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 13pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 9pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0264 | $ 0.5280 |
| 200+ | $0.0209 | $ 4.1800 |
| 600+ | $0.0184 | $ 11.0400 |
| 3000+ | $0.0143 | $ 42.9000 |
| 9000+ | $0.0136 | $ 122.4000 |
| 21000+ | $0.0131 | $ 275.1000 |
