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InventChip IV2Q12160D7Z
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV2Q12160D7Z |
| Código da Peça EBEE | E822368199 |
| Pacote | TO-263-7 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.4252 | $ 6.4252 |
| 10+ | $6.2704 | $ 62.7040 |
| 30+ | $6.1677 | $ 185.0310 |
| 100+ | $6.0650 | $ 606.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | InventChip IV2Q12160D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 208mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 35pF | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.4252 | $ 6.4252 |
| 10+ | $6.2704 | $ 62.7040 |
| 30+ | $6.1677 | $ 185.0310 |
| 100+ | $6.0650 | $ 606.5000 |
