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InventChip IV2Q12080D7Z
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV2Q12080D7Z |
| Código da Peça EBEE | E822368197 |
| Pacote | TO-263-7 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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|---|---|---|
| 1+ | $9.8390 | $ 9.8390 |
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| 30+ | $7.5860 | $ 227.5800 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | InventChip IV2Q12080D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 104mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 4.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 41A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.214nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58.1pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
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