| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV1D12010O2 |
| Código da Peça EBEE | E82894799 |
| Pacote | TO-220-2 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1.2kV Independent Type 1.56V@10A 28A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3499 | $ 4.3499 |
| 10+ | $3.7782 | $ 37.7820 |
| 50+ | $3.0333 | $ 151.6650 |
| 100+ | $2.6900 | $ 269.0000 |
| 500+ | $2.5306 | $ 1265.3000 |
| 1000+ | $2.4585 | $ 2458.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | InventChip IV1D12010O2 | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | [email protected] | |
| Configuração do diodo | Independent | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.56V@10A | |
| Current - Rectified | 28A |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3499 | $ 4.3499 |
| 10+ | $3.7782 | $ 37.7820 |
| 50+ | $3.0333 | $ 151.6650 |
| 100+ | $2.6900 | $ 269.0000 |
| 500+ | $2.5306 | $ 1265.3000 |
| 1000+ | $2.4585 | $ 2458.5000 |
