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Infineon Technologies IRFB3206PBF
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IRFB3206PBF |
| Código da Peça EBEE | E82642 |
| Pacote | TO-220AB |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 60V 210A 300W 2.4mΩ@10V,75A 2V@150uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9177 | $ 0.9177 |
| 10+ | $0.7574 | $ 7.5740 |
| 50+ | $0.6081 | $ 30.4050 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IRFB3206PBF | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 3mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 360pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 210A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.54nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 720pF | |
| Gate Charge(Qg) | 170nC@10V |
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