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Infineon Technologies IRF3205PBF
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IRF3205PBF |
| Código da Peça EBEE | E82561 |
| Pacote | TO-220AB |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 55V 110A 8mΩ@10V,62A 200W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4114 | $ 0.4114 |
| 10+ | $0.3246 | $ 3.2460 |
| 50+ | $0.2797 | $ 13.9850 |
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| 500+ | $0.2314 | $ 115.7000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IRF3205PBF | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 8mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 211pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.247nF | |
| Gate Charge(Qg) | 146nC@10V |
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