| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IDK08G65C5XTMA2 |
| Código da Peça EBEE | E83758485 |
| Pacote | TO-263-2 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 1.8V@8A 8A TO-263-2 SiC Diodes ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2629 | $ 5.2629 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IDK08G65C5XTMA2 | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 140uA@650V | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@8A | |
| Current - Rectified | 8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 68A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2629 | $ 5.2629 |
